ਪਾਵਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡਰਾਈਵਰ ਸਰਕਟ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਉਪ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਹੈ, ਸ਼ਕਤੀਸ਼ਾਲੀ, ਡਰਾਈਵ ਪੱਧਰ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ IGBT ਡਰਾਈਵਰ ICs ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਕਸਰ ਡਰਾਈਵ ਸੁਰੱਖਿਆ ਫੰਕਸ਼ਨਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਡੀਸੈਚੁਰੇਸ਼ਨ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਸੁਰੱਖਿਆ, ਅੰਡਰਵੋਲਟੇਜ ਬੰਦ, ਮਿਲਰ ਕਲੈਂਪ, ਦੋ-ਪੜਾਅ ਬੰਦ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। , ਨਰਮ ਬੰਦ, SRC (ਸਲੀਊ ਰੇਟ ਕੰਟਰੋਲ), ਆਦਿ। ਉਤਪਾਦਾਂ ਵਿੱਚ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪੱਧਰ ਵੀ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇੱਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਇਸਦਾ ਪੈਕੇਜ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਡਰਾਈਵਰ IC ਆਉਟਪੁੱਟ ਮੌਜੂਦਾ ਕੁਝ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ 10A ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਫਿਰ ਵੀ ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ IGBT ਮੋਡੀਊਲ ਦੀਆਂ ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਪੇਪਰ IGBT ਡਰਾਈਵਿੰਗ ਬਾਰੇ ਚਰਚਾ ਕਰੇਗਾ. ਮੌਜੂਦਾ ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਵਿਸਥਾਰ.
ਡਰਾਈਵਰ ਵਰਤਮਾਨ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਫੈਲਾਉਣਾ ਹੈ
ਜਦੋਂ ਡ੍ਰਾਈਵ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਾਂ ਜਦੋਂ ਉੱਚ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਵੱਡੇ ਗੇਟ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ ਨਾਲ IGBTs ਚਲਾਉਂਦੇ ਹੋ, ਤਾਂ ਡਰਾਈਵਰ IC ਲਈ ਕਰੰਟ ਦਾ ਵਿਸਤਾਰ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
ਬਾਇਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ
IGBT ਗੇਟ ਡਰਾਈਵਰ ਦਾ ਸਭ ਤੋਂ ਆਮ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਪੂਰਕ ਐਮੀਟਰ ਫਾਲੋਅਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਮੌਜੂਦਾ ਵਿਸਤਾਰ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰਨਾ ਹੈ।ਐਮੀਟਰ ਫਾਲੋਅਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਕਰੰਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ hFE ਜਾਂ β ਅਤੇ ਬੇਸ ਕਰੰਟ IB ਦੇ DC ਲਾਭ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ IGBT ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦਾ ਕਰੰਟ IB*β ਤੋਂ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਰੇਖਿਕ ਕਾਰਜ ਖੇਤਰ ਅਤੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੋਵੇਗਾ। ਡ੍ਰਾਈਵ ਕਰੰਟ ਨਾਕਾਫ਼ੀ ਹੈ, ਤਾਂ IGBT ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੀ ਚਾਰਜਿੰਗ ਅਤੇ ਡਿਸਚਾਰਜਿੰਗ ਸਪੀਡ ਹੌਲੀ ਹੋ ਜਾਵੇਗੀ ਅਤੇ IGBT ਨੁਕਸਾਨ ਵਧ ਜਾਵੇਗਾ।
MOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ
MOSFETs ਨੂੰ ਡਰਾਈਵਰ ਦੇ ਮੌਜੂਦਾ ਵਿਸਥਾਰ ਲਈ ਵੀ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਸਰਕਟ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ PMOS + NMOS ਨਾਲ ਬਣਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਸਰਕਟ ਬਣਤਰ ਦਾ ਤਰਕ ਪੱਧਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਪੁਸ਼-ਪੁੱਲ ਦੇ ਉਲਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਉੱਪਰੀ ਟਿਊਬ PMOS ਸਰੋਤ ਦਾ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਗੇਟ ਦਿੱਤੇ ਗਏ ਵੋਲਟੇਜ PMOS ਦੇ ਸਰੋਤ ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਅਤੇ ਡਰਾਈਵਰ IC ਆਉਟਪੁੱਟ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਪੱਧਰੀ ਚਾਲੂ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ PMOS + NMOS ਬਣਤਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਇਨਵਰਟਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਬਾਇਪੋਲਰ ਟ੍ਰਾਂਸਿਸਟਰਾਂ ਜਾਂ MOSFETs ਨਾਲ?
(1) ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਅੰਤਰ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਸਵਿਚਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਸੰਚਾਲਨ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਮੁੱਖ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦਾ ਫਾਇਦਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਮੌਜੂਦਾ ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਾਹਨ ਮੋਟਰ ਡਰਾਈਵ, ਜਿੱਥੇ ਤਾਪ ਖਰਾਬ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਨੱਥੀ ਕੇਸ ਦੇ ਅੰਦਰ ਤਾਪਮਾਨ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਬਹੁਤ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ ਚੁਣਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
(2) ਬਾਈਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਘੋਲ ਦੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵਿੱਚ VCE(sat) ਦੇ ਕਾਰਨ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਕਮੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, 15V ਦੀ ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਡ੍ਰਾਈਵ ਟਿਊਬ VCE(sat) ਦੀ ਪੂਰਤੀ ਲਈ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ MOSFET ਹੱਲ ਲਗਭਗ ਇੱਕ ਰੇਲ-ਤੋਂ-ਰੇਲ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ.
(3) MOSFET ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਦਾ ਹੈ, VGS ਸਿਰਫ 20V, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਸਮੱਸਿਆ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ ਜਿਸਨੂੰ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਧਿਆਨ ਦੇਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
(4) MOSFETs ਵਿੱਚ Rds(on) ਦਾ ਇੱਕ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਬਾਇਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ MOSFETs ਵਿੱਚ ਸਮਾਨਾਂਤਰ ਨਾਲ ਜੁੜੇ ਹੋਣ 'ਤੇ ਥਰਮਲ ਰਨਅਵੇ ਸਮੱਸਿਆ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
(5) ਜੇਕਰ Si/SiC MOSFETs ਚਲਾ ਰਹੇ ਹੋ, ਤਾਂ ਬਾਇਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਆਬਜੈਕਟ MOSFETs ਨਾਲੋਂ ਹੌਲੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਮੌਜੂਦਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ MOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਲਈ ਵਿਚਾਰਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
(6) ESD ਅਤੇ ਸਰਜ ਵੋਲਟੇਜ ਲਈ ਇਨਪੁਟ ਪੜਾਅ ਦੀ ਮਜ਼ਬੂਤੀ, ਬਾਈਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ PN ਜੰਕਸ਼ਨ ਦਾ MOS ਗੇਟ ਆਕਸਾਈਡ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਫਾਇਦਾ ਹੈ।
ਬਾਇਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਅਤੇ MOSFET ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਇੱਕੋ ਜਿਹੀਆਂ ਨਹੀਂ ਹਨ, ਕੀ ਵਰਤਣਾ ਹੈ ਜਾਂ ਤੁਹਾਨੂੰ ਸਿਸਟਮ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਆਪਣੇ ਲਈ ਫੈਸਲਾ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।
ਨਿਓਡੇਨ ਬਾਰੇ ਤੁਰੰਤ ਤੱਥ
① 2010 ਵਿੱਚ ਸਥਾਪਿਤ, 200+ ਕਰਮਚਾਰੀ, 8000+ Sq.m.ਫੈਕਟਰੀ.
② NeoDen ਉਤਪਾਦ: ਸਮਾਰਟ ਸੀਰੀਜ਼ PNP ਮਸ਼ੀਨ, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, ਰੀਫਲੋ ਓਵਨ IN6, IN12, ਸੋਲਡਰ ਪੇਸਟ ਪ੍ਰਿੰਟਰ, FP26430।
③ ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਵਿੱਚ ਸਫਲ 10000+ ਗਾਹਕ।
④ 30+ ਗਲੋਬਲ ਏਜੰਟ ਏਸ਼ੀਆ, ਯੂਰਪ, ਅਮਰੀਕਾ, ਓਸ਼ੇਨੀਆ ਅਤੇ ਅਫਰੀਕਾ ਵਿੱਚ ਕਵਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ।
⑤ R&D ਕੇਂਦਰ: 25+ ਪੇਸ਼ੇਵਰ R&D ਇੰਜੀਨੀਅਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ 3 R&D ਵਿਭਾਗ।
⑥ CE ਨਾਲ ਸੂਚੀਬੱਧ ਅਤੇ 50+ ਪੇਟੈਂਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ।
⑦ 30+ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨਿਯੰਤਰਣ ਅਤੇ ਤਕਨੀਕੀ ਸਹਾਇਤਾ ਇੰਜੀਨੀਅਰ, 15+ ਸੀਨੀਅਰ ਅੰਤਰਰਾਸ਼ਟਰੀ ਵਿਕਰੀ, ਸਮੇਂ ਸਿਰ ਗਾਹਕ 8 ਘੰਟਿਆਂ ਦੇ ਅੰਦਰ ਜਵਾਬ ਦਿੰਦੇ ਹਨ, ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਹੱਲ 24 ਘੰਟਿਆਂ ਦੇ ਅੰਦਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਮਈ-17-2022